Справочник MOSFET. PDP0959

 

PDP0959 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDP0959
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для PDP0959

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDP0959 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:800K  potens
 pdp0959.pdf pdf_icon

PDP0959

100V P-Channel MOSFETs PDP0959 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -100V 45m -35A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -100V,-35A, RDS(ON) 45m@VGS = -10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:776K  potens
 pdp0980.pdf pdf_icon

PDP0959

100V N-Channel MOSFETs PDP0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

Другие MOSFET... PDN3611S , PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , IRF9640 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 .

History: VBZM150N03 | SMK0465D | STB16NS25T4 | PDN2313S | KP979A | ME50N06A | ME50N75T-G

 

 
Back to Top

 


 
.