PDP0980 Todos los transistores

 

PDP0980 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDP0980
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 275 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PDP0980 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:776K  potens
 pdp0980.pdf pdf_icon

PDP0980

100V N-Channel MOSFETs PDP0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m@VGS = 10V performance, and withstand hi

 9.1. Size:800K  potens
 pdp0959.pdf pdf_icon

PDP0980

100V P-Channel MOSFETs PDP0959 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -100V 45m -35A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -100V,-35A, RDS(ON) 45m@VGS = -10V performance, and withstand hig

Otros transistores... PDN3612S , PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , 2SK3918 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 .

History: LNND04R120 | SSM6K06FU | VSE003N04MSC-G | OSG65R900AF | P4004ED

 

 
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