PDP0980 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDP0980  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDP0980

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDP0980 даташит

 ..1. Size:776K  potens
 pdp0980.pdf pdf_icon

PDP0980

100V N-Channel MOSFETs PDP0980 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 100V 4.2m 150A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 100V,150A, RDS(ON) =4.2m @VGS = 10V performance, and withstand hi

 9.1. Size:800K  potens
 pdp0959.pdf pdf_icon

PDP0980

100V P-Channel MOSFETs PDP0959 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -100V 45m -35A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -100V,-35A, RDS(ON) 45m @VGS = -10V performance, and withstand hig

Другие IGBT... PDN3612S, PDN3909S, PDN3912S, PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, PDN6911S, PDP0959, EMB04N03H, PDP3960, PDQ3714, PDS3712, PDS3807, PDS3812, PDS3903, PDS4810, PDS4906