PDP3960 Todos los transistores

 

PDP3960 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDP3960
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 168 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 735 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PDP3960 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  potens
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PDP3960

30V N-Channel MOSFETs PDP3960 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 3m 176A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 176A, RDS(ON) =3m@VGS = 10V performance, and withstand high energ

Otros transistores... PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , AON7403 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 .

History: PDP0959 | ME95N03T | 2N7002C1B | SVF10N65CA | 2SK163 | B630 | IRFIZ48VPBF

 

 
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