PDP3960 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDP3960
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 168 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 176 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 735 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
Encapsulados: TO220
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PDP3960 datasheet
pdp3960.pdf
30V N-Channel MOSFETs PDP3960 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 3m 176A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 176A, RDS(ON) =3m @VGS = 10V performance, and withstand high energ
Otros transistores... PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , RU7088R , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 .
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