PDP3960 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PDP3960
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 168 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 735 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для PDP3960
PDP3960 Datasheet (PDF)
pdp3960.pdf

30V N-Channel MOSFETs PDP3960 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 3m 176A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V, 176A, RDS(ON) =3m@VGS = 10V performance, and withstand high energ
Другие MOSFET... PDN3909S , PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , MMD60R360PRH , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 .
History: IRF9620PBF
History: IRF9620PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor