PDQ3714 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDQ3714
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 4.1 nC
Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
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PDQ3714 Datasheet (PDF)
..1. Size:736K potens
pdq3714.pdf
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30V N+P Dual Channel MOSFETs PDQ3714 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 30m 4A technology. This advanced technology has been -30V 65m -3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy pul
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