PDQ3714 Todos los transistores

 

PDQ3714 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDQ3714
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

PDQ3714 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:736K  potens
 pdq3714.pdf pdf_icon

PDQ3714

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDQ3714 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 30m 4A technology. This advanced technology has been -30V 65m -3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy pul

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History: QM3010J | FMH47N60S1 | WPM4801 | XP161A1355PR | UT20N03 | S68N08ZRN | FDMS3660AS

 

 
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