PDQ3714 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDQ3714  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDQ3714

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDQ3714 даташит

 ..1. Size:736K  potens
 pdq3714.pdf pdf_icon

PDQ3714

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDQ3714 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 30m 4A technology. This advanced technology has been -30V 65m -3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy pul

Другие IGBT... PDN3912S, PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, PDN6911S, PDP0959, PDP0980, PDP3960, MMIS60R580P, PDS3712, PDS3807, PDS3812, PDS3903, PDS4810, PDS4906, PDS4909, PDS6903