PDQ3714 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDQ3714
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для PDQ3714
PDQ3714 Datasheet (PDF)
pdq3714.pdf

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDQ3714 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 30m 4A technology. This advanced technology has been -30V 65m -3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy pul
Другие MOSFET... PDN3912S , PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , STP65NF06 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 .
History: AOT66918L | SPC20N65G | AP30T10GK-HF | ZXMD63P02X | H5N2522LS | FR120N | CMD20N06L
History: AOT66918L | SPC20N65G | AP30T10GK-HF | ZXMD63P02X | H5N2522LS | FR120N | CMD20N06L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451