PDS3712 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDS3712  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PDS3712 datasheet

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PDS3712

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDS3712 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 20m 8A technology. This advanced technology has been -30V 50m -5.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy

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