PDS3712 Todos los transistores

 

PDS3712 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS3712
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PDS3712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  potens
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PDS3712

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDS3712 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 20m 8A technology. This advanced technology has been -30V 50m -5.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy

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History: IPA60R1K5CE

 

 
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