PDS3712 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDS3712  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDS3712

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3712 даташит

 ..1. Size:586K  potens
 pds3712.pdf pdf_icon

PDS3712

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDS3712 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 20m 8A technology. This advanced technology has been -30V 50m -5.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy

Другие IGBT... PDN3914S, PDN3916S, PDN4911S, PDN6911S, PDP0959, PDP0980, PDP3960, PDQ3714, AOD4184A, PDS3807, PDS3812, PDS3903, PDS4810, PDS4906, PDS4909, PDS6903, PDS6904