Справочник MOSFET. PDS3712

 

PDS3712 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS3712
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS3712

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3712 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  potens
 pds3712.pdf pdf_icon

PDS3712

30V N+P Dual Channel MOSFETs PDS3712 General Description BVDSS RDSON ID These N+P dual Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS 30V 20m 8A technology. This advanced technology has been -30V 50m -5.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand Features high energy

Другие MOSFET... PDN3914S , PDN3916S , PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , HY1906P , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 .

History: NP90N03VUG | NCE1504R | AP30P30Q | WML53N65C4 | AFC3346W | WMJ28N65F2 | RRH075P03

 

 
Back to Top

 


 
.