PDS3812 Todos los transistores

 

PDS3812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS3812
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7.5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 7.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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PDS3812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  potens
pds3812.pdf

PDS3812
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30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:460K  potens
pds3807.pdf

PDS3812
PDS3812

30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m@VGS = -10V performance, and withstand high ene

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