PDS3812 Todos los transistores

 

PDS3812 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS3812
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PDS3812 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PDS3812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  potens
 pds3812.pdf pdf_icon

PDS3812

30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:460K  potens
 pds3807.pdf pdf_icon

PDS3812

30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m@VGS = -10V performance, and withstand high ene

Otros transistores... PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , AO4468 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P .

History: IRFB7546PBF | ME110N10T | STT3470N | IRF6646PBF | WTC9435 | IRF5802PBF | STT2604

 

 
Back to Top

 


 
.