PDS3812 - описание и поиск аналогов

 

PDS3812. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PDS3812

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для PDS3812

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3812 даташит

 ..1. Size:387K  potens
 pds3812.pdf pdf_icon

PDS3812

30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:460K  potens
 pds3807.pdf pdf_icon

PDS3812

30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m @VGS = -10V performance, and withstand high ene

Другие MOSFET... PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , 60N06 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P .

History: MDF13N65BTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.