PDS3812 - аналоги и даташиты транзистора

 

PDS3812 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDS3812
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS3812

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3812 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:387K  potens
 pds3812.pdf pdf_icon

PDS3812

30V Dual N-Channel MOSFETs PDS3812 General Description BVDSS RDSON IDThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 30V 20m 7.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 30V,7.5A, RDS(ON) =20m @VGS = 10V performance, and withstand hig

 9.1. Size:460K  potens
 pds3807.pdf pdf_icon

PDS3812

30V P-Channel MOSFETs PDS3807 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 23m -7A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-7A, RDS(ON) =23m@VGS = -10V performance, and withstand high ene

Другие MOSFET... PDN4911S , PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , 60N06 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P .

History: AP15TP1R0Y | JCS12N65CT

 

 
Back to Top

 


 
.