PDS3903 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDS3903
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de PDS3903 MOSFET
PDS3903 Datasheet (PDF)
pds3903.pdf

30V P-Channel MOSFETs PDS3903 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 9.5m -13A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-13A, RDS(ON) =9.5m@VGS = -10V performance, and withstand high
Otros transistores... PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , 5N50 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S .
History: JCS10N65CT | 2SK1295 | SSF11NS60UF | LNG08R085 | AJCS160N08I | FCHD040N65S3 | SRC60R075BS
History: JCS10N65CT | 2SK1295 | SSF11NS60UF | LNG08R085 | AJCS160N08I | FCHD040N65S3 | SRC60R075BS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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