PDS3903 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDS3903
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: SOP8
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PDS3903 datasheet
pds3903.pdf
30V P-Channel MOSFETs PDS3903 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 9.5m -13A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-13A, RDS(ON) =9.5m @VGS = -10V performance, and withstand high
Otros transistores... PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , IRFP064N , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S .
History: HM45N02D | APT56F60L | SE4060GB
History: HM45N02D | APT56F60L | SE4060GB
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