PDS3903 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PDS3903
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для PDS3903
PDS3903 Datasheet (PDF)
pds3903.pdf

30V P-Channel MOSFETs PDS3903 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 9.5m -13A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-13A, RDS(ON) =9.5m@VGS = -10V performance, and withstand high
Другие MOSFET... PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , 5N50 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S .
History: AP4036AGM-HF | B4N60 | IPA60R1K5CE | 2SK2661 | IRFR5305TRPBF
History: AP4036AGM-HF | B4N60 | IPA60R1K5CE | 2SK2661 | IRFR5305TRPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73