Справочник MOSFET. PDS3903

 

PDS3903 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS3903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS3903

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  potens
 pds3903.pdf pdf_icon

PDS3903

30V P-Channel MOSFETs PDS3903 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 9.5m -13A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-13A, RDS(ON) =9.5m@VGS = -10V performance, and withstand high

Другие MOSFET... PDN6911S , PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , 5N50 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S .

History: WMM53N65C4 | PSMN1R8-40YLC | NTMS4101PR2 | UPA2451C | FDU5N60NZTU

 

 
Back to Top

 


 
.