Справочник MOSFET. PDS3903

 

PDS3903 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS3903
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS3903 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  potens
 pds3903.pdf pdf_icon

PDS3903

30V P-Channel MOSFETs PDS3903 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -30V 9.5m -13A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -30V,-13A, RDS(ON) =9.5m@VGS = -10V performance, and withstand high

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: LNC06R200 | RCJ100N25 | 2SJ176 | TT8J11 | ISCNH340B | BSC010N04LSI | CHM3413KGP

 

 
Back to Top

 


 
.