PDS4810 Todos los transistores

 

PDS4810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS4810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de PDS4810 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PDS4810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  potens
 pds4810.pdf pdf_icon

PDS4810

40V Dual N-Channel MOSFETs PDS4810 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 18m 8A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V,8A,RDS(ON) =18m@VGS = 10V performance, and withstand high ener

Otros transistores... PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , AO4468 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 .

History: 2SK4078B-ZK | IRLML6302TRPBF | VB7638 | WSD2018BDN22 | HIRF730 | IRLML6401GTRPBF | CM12N65AF

 

 
Back to Top

 


 
.