PDS4810 Todos los transistores

 

PDS4810 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PDS4810

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP8

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PDS4810 datasheet

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PDS4810

40V Dual N-Channel MOSFETs PDS4810 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 18m 8A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V,8A,RDS(ON) =18m @VGS = 10V performance, and withstand high ener

Otros transistores... PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , AO4468 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 .

History: BLF7G24L-100 | HM4503 | MDF4N60TP | APM4425K | MDF4N65BTH | H90N71P | SMG2340N

 

 

 

 

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