Справочник MOSFET. PDS4810

 

PDS4810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS4810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS4810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS4810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:650K  potens
 pds4810.pdf pdf_icon

PDS4810

40V Dual N-Channel MOSFETs PDS4810 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 18m 8A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V,8A,RDS(ON) =18m@VGS = 10V performance, and withstand high ener

Другие MOSFET... PDP0959 , PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , IRFP064N , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 .

History: STP16N60M2 | WMLL025N10HGS

 

 
Back to Top

 


 
.