PDS4810 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDS4810  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PDS4810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS4810 даташит

 ..1. Size:650K  potens
 pds4810.pdf pdf_icon

PDS4810

40V Dual N-Channel MOSFETs PDS4810 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 18m 8A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V,8A,RDS(ON) =18m @VGS = 10V performance, and withstand high ener

Другие IGBT... PDP0959, PDP0980, PDP3960, PDQ3714, PDS3712, PDS3807, PDS3812, PDS3903, AO4468, PDS4906, PDS4909, PDS6903, PDS6904, PDS6910, PMEB2516P, PMEN2423S, PTP4N65