PDS4906 Todos los transistores

 

PDS4906 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS4906
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PDS4906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  potens
 pds4906.pdf pdf_icon

PDS4906

40V N-Channel MOSFETs PDS4906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 9m 9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V, 9A, RDS(ON)=9m@VGS = 10V performance, and withstand high energy pul

 8.1. Size:756K  potens
 pds4909.pdf pdf_icon

PDS4906

40V P-Channel MOSFETs PDS4909 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 45m -6.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-6.5A, RDS(ON) =45m@VGS = -10V performance, and withstand h

Otros transistores... PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , BS170 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 .

History: MS5N100FE | SFG08R08GF | APT20M20B2LL | YMP230N55 | MTBA6C12Q8 | IXFK24N100 | MTP3055VL

 

 
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