PDS4906 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDS4906
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: SOP8
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PDS4906 datasheet
pds4906.pdf
40V N-Channel MOSFETs PDS4906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 9m 9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V, 9A, RDS(ON)=9m @VGS = 10V performance, and withstand high energy pul
pds4909.pdf
40V P-Channel MOSFETs PDS4909 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 45m -6.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-6.5A, RDS(ON) =45m @VGS = -10V performance, and withstand h
Otros transistores... PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , IRF730 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 .
History: HM45N02D | APT56F60L | SE4060GB
History: HM45N02D | APT56F60L | SE4060GB
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