Справочник MOSFET. PDS4906

 

PDS4906 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS4906
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS4906

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS4906 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  potens
 pds4906.pdf pdf_icon

PDS4906

40V N-Channel MOSFETs PDS4906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 9m 9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V, 9A, RDS(ON)=9m@VGS = 10V performance, and withstand high energy pul

 8.1. Size:756K  potens
 pds4909.pdf pdf_icon

PDS4906

40V P-Channel MOSFETs PDS4909 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 45m -6.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-6.5A, RDS(ON) =45m@VGS = -10V performance, and withstand h

Другие MOSFET... PDP0980 , PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , BS170 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 .

 

 
Back to Top

 


 
.