PDS4909 Todos los transistores

 

PDS4909 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDS4909
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PDS4909 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  potens
 pds4909.pdf pdf_icon

PDS4909

40V P-Channel MOSFETs PDS4909 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 45m -6.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-6.5A, RDS(ON) =45m@VGS = -10V performance, and withstand h

 8.1. Size:339K  potens
 pds4906.pdf pdf_icon

PDS4909

40V N-Channel MOSFETs PDS4906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 9m 9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V, 9A, RDS(ON)=9m@VGS = 10V performance, and withstand high energy pul

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History: 2SK2825 | 2SK2698 | STD3N40K3 | AOWF12T60P | AP10N012I | AOWF14N50 | AP04N20GK-HF

 

 
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