Справочник MOSFET. PDS4909

 

PDS4909 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PDS4909
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PDS4909

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PDS4909 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:756K  potens
 pds4909.pdf pdf_icon

PDS4909

40V P-Channel MOSFETs PDS4909 General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -40V 45m -6.5A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching -40V,-6.5A, RDS(ON) =45m@VGS = -10V performance, and withstand h

 8.1. Size:339K  potens
 pds4906.pdf pdf_icon

PDS4909

40V N-Channel MOSFETs PDS4906 General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 40V 9m 9A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 40V, 9A, RDS(ON)=9m@VGS = 10V performance, and withstand high energy pul

Другие MOSFET... PDP3960 , PDQ3714 , PDS3712 , PDS3807 , PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , IRFZ44N , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 .

History: HSP4N65 | RRQ030P03 | TPC6101 | SI5433BDC

 

 
Back to Top

 


 
.