PMEB2516P Todos los transistores

 

PMEB2516P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMEB2516P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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PMEB2516P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  potens
 pmeb2516p.pdf pdf_icon

PMEB2516P

20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Otros transistores... PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , 20N60 , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 .

History: 2SK974L | IRFB59N10D | FW206 | NCE55P04S | TPC8103 | TK50F15J1 | STB75NF75T4

 

 
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