PMEB2516P Todos los transistores

 

PMEB2516P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMEB2516P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

PMEB2516P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  potens
 pmeb2516p.pdf pdf_icon

PMEB2516P

20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STP55N06L | BUZ358 | STP33N65M2 | RFL1N10L | AUIRF2804

 

 
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