PMEB2516P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMEB2516P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 237 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
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PMEB2516P datasheet
pmeb2516p.pdf
20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high
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History: AP20T15GI | EM6K34 | JMPF7N65BJ | IPD60R280P7
History: AP20T15GI | EM6K34 | JMPF7N65BJ | IPD60R280P7
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