PMEB2516P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PMEB2516P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для PMEB2516P
PMEB2516P Datasheet (PDF)
pmeb2516p.pdf

20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high
Другие MOSFET... PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , 20N60 , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 .
History: 5N60G-TF3T-T | IRF3706PBF | TK62J60W5 | FQA28N50F | SL8N100F
History: 5N60G-TF3T-T | IRF3706PBF | TK62J60W5 | FQA28N50F | SL8N100F



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333