Справочник MOSFET. PMEB2516P

 

PMEB2516P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMEB2516P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для PMEB2516P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMEB2516P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  potens
 pmeb2516p.pdf pdf_icon

PMEB2516P

20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Другие MOSFET... PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , 20N60 , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 .

History: SL8N100F | WMJ18N50D1B | RJK0223DNS | HSP4024A | PV563BA | IRC740PBF | SI2309CDS-T1-GE3

 

 
Back to Top

 


 
.