PMEB2516P - описание и поиск аналогов

 

PMEB2516P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMEB2516P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 237 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для PMEB2516P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMEB2516P даташит

 ..1. Size:597K  potens
 pmeb2516p.pdf pdf_icon

PMEB2516P

20V Dual N-Channel MOSFETs PMEB2516P General Description BVDSS RDSON ID These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This 20V 6m 40A advanced technology has been especially tailored to Features minimize on-state resistance, provide superior switching 20V,40A, RDS(ON) =6m @VGS = 4.5V performance, and withstand high

Другие MOSFET... PDS3812 , PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , 20N60 , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 .

History: JMPF7N65BJ | CRST085N15N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.