PMEN2423S Todos los transistores

 

PMEN2423S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PMEN2423S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-3S
 

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PMEN2423S Datasheet (PDF)

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PMEN2423S

20V P-Channel MOSFETs PMEN2423S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 43m -4A advanced technology has been especially tailored to -20V,-4A, RDS(ON) =43m@VGS = -4.5V minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge (typicalQ gd 4.5nC) p

Otros transistores... PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , IRF540 , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 .

History: SVG104R5NS | SSG6612N | J112RLRAG

 

 
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