PMEN2423S - описание и поиск аналогов

 

PMEN2423S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PMEN2423S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SOT23-3S

Аналог (замена) для PMEN2423S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMEN2423S даташит

 ..1. Size:415K  potens
 pmen2423s.pdf pdf_icon

PMEN2423S

20V P-Channel MOSFETs PMEN2423S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 43m -4A advanced technology has been especially tailored to -20V,-4A, RDS(ON) =43m @VGS = -4.5V minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge (typicalQ gd 4.5nC) p

Другие MOSFET... PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , IRF540N , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 .

History: SMG2328 | SUM110P06-07L | ME60P06T | BSL211SP | ME60N03AS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.