Справочник MOSFET. PMEN2423S

 

PMEN2423S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PMEN2423S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PMEN2423S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  potens
 pmen2423s.pdf pdf_icon

PMEN2423S

20V P-Channel MOSFETs PMEN2423S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 43m -4A advanced technology has been especially tailored to -20V,-4A, RDS(ON) =43m@VGS = -4.5V minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge (typicalQ gd 4.5nC) p

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: AP2616GY-HF | SIR472ADP | APM4542K | SI1402DH | 2N4338 | WMB050N03LG4 | LSE60R092GF

 

 
Back to Top

 


 
.