PMEN2423S - аналоги и даташиты транзистора

 

PMEN2423S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PMEN2423S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-3S
 

 Аналог (замена) для PMEN2423S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PMEN2423S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  potens
 pmen2423s.pdf pdf_icon

PMEN2423S

20V P-Channel MOSFETs PMEN2423S General Description BVDSS RDSON ID These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This -20V 43m -4A advanced technology has been especially tailored to -20V,-4A, RDS(ON) =43m@VGS = -4.5V minimize on-state resistance, provide superior switching Low gate charge (typicalQ gd 4.5nC) p

Другие MOSFET... PDS3903 , PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , IRF540 , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 .

 

 
Back to Top

 


 
.