PTP4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP4N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 109 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP4N65
PTP4N65 Datasheet (PDF)
ptp4n65 ptf4n65.pdf
PTP4 N65 /PTF4 N6565 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct
ptp4n60 ptf4n60.pdf
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