PTP4N65 - описание и поиск аналогов

 

PTP4N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTP4N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для PTP4N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP4N65 даташит

 ..1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTP4N65

PTP4 N65 /PTF4 N65 65 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

 8.1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTP4N65

PTP4 N60/PTF4 N60 600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFET Features RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150 C) G D S G D S TO-220 TO-220F Absolute Maximum Ratings Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

Другие MOSFET... PDS4810 , PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , IRF540 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 .

History: 2SK2164 | MEE2348-G | MEE3710T | UPA1857GR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.