PTP4N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: PTP4N65
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
PTP4N65 Datasheet (PDF)
ptp4n65 ptf4n65.pdf

PTP4 N65 /PTF4 N6565 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct
ptp4n60 ptf4n60.pdf

PTP4 N60/PTF4 N60600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT
History: DMN3052LSS | FHF630A | SRT08N025HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140