PTP80N60 Todos los transistores

 

PTP80N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTP80N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO220

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PTP80N60 datasheet

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PTP80N60

PTP80N60/PTY80N60 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

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PTP80N60

PTP80N06/PTY80N06 60V/80A N-Chnnel MOSFET Features D 60V/80A RDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche Tested D Application G S Power Supply TO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

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