PTP80N60 Todos los transistores

 

PTP80N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP80N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 365 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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PTP80N60 Datasheet (PDF)

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PTP80N60

PTP80N60/PTY80N6060V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

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 ptp80n06 pty80n06.pdf pdf_icon

PTP80N60

PTP80N06/PTY80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Otros transistores... PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , IRFP460 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 .

History: IRFBA90N20DPBF | WMM14N60C4 | GSM4435WS | HMS8N70D | 2SK2617ALS | WMO10N70D1 | SFW9Z34

 

 
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