Справочник MOSFET. PTP80N60

 

PTP80N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTP80N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 365 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTP80N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3376K  cn puolop
 ptp80n60 pty80n60.pdf pdf_icon

PTP80N60

PTP80N60/PTY80N6060V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

 8.1. Size:3655K  cn puolop
 ptp80n06 pty80n06.pdf pdf_icon

PTP80N60

PTP80N06/PTY80N0660V/80A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 60V/80ARDS(ON)=7.3m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current % 100 Avalanche TestedDApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: OSG60R099HF | WMJ38N60C2 | 4N70KL-TMS2-T | CHM540ANGP | AO6804A | RJL6014DPP | ME4832

 

 
Back to Top

 


 
.