PTY88N07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTY88N07
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 65 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de PTY88N07 MOSFET
PTY88N07 Datasheet (PDF)
ptp88n07 pty88n07.pdf

PTP88N07/PTY88N0765V/88A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 65V/88ARDS(ON)=7.0m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D% 100 Avalanche TestedApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim
Otros transistores... PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , IRF640N , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 .
History: IRFS3207 | IRFH5025 | NCE4435X | IRFS7437 | NTZD3154NT1G | SST65R600S2 | SE10060A
History: IRFS3207 | IRFH5025 | NCE4435X | IRFS7437 | NTZD3154NT1G | SST65R600S2 | SE10060A



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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