Справочник MOSFET. PTY88N07

 

PTY88N07 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTY88N07
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 65 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для PTY88N07

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTY88N07 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4697K  cn puolop
ptp88n07 pty88n07.pdfpdf_icon

PTY88N07

PTP88N07/PTY88N0765V/88A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 65V/88ARDS(ON)=7.0m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D% 100 Avalanche TestedApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

Другие MOSFET... PMEN2423S , PTP4N65 , PTF4N65 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , IRF640N , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 .

History: TK100E10N1 | APT5017BLC | KI001PW

 

 
Back to Top

 


 
.