PTS2017 Todos los transistores

 

PTS2017 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTS2017
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PTS2017 Datasheet (PDF)

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PTS2017

PTS2017 20V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Very Low RDS(on) @ 3.3V Logic. BVDSS 20 V 3.3V Logic Level Control ID 17 A SOP8 Package RDSON@VGS=4.5V 5.5 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=3.3V 6.5 m Applications Low Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as

Otros transistores... PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , AON6414A , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 .

History: IPI100N08S2-07

 

 
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