Справочник MOSFET. PTS2017

 

PTS2017 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTS2017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

PTS2017 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn puolop
 pts2017.pdf pdf_icon

PTS2017

PTS2017 20V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Very Low RDS(on) @ 3.3V Logic. BVDSS 20 V 3.3V Logic Level Control ID 17 A SOP8 Package RDSON@VGS=4.5V 5.5 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=3.3V 6.5 m Applications Low Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK1010-01 | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.