PTS2017 - описание и поиск аналогов

 

PTS2017. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PTS2017

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для PTS2017

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTS2017 даташит

 ..1. Size:715K  cn puolop
 pts2017.pdf pdf_icon

PTS2017

PTS2017 20V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Very Low RDS(on) @ 3.3V Logic. BVDSS 20 V 3.3V Logic Level Control ID 17 A SOP8 Package RDSON@VGS=4.5V 5.5 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=3.3V 6.5 m Applications Low Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as

Другие MOSFET... PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , IRFB4227 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 .

History: AOTF3N100 | CRST040N10N

 

 

 

 

↑ Back to Top
.