Справочник MOSFET. PTS2017

 

PTS2017 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTS2017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 140 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PTS2017

 

 

PTS2017 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn puolop
 pts2017.pdf

PTS2017 PTS2017

PTS2017 20V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Very Low RDS(on) @ 3.3V Logic. BVDSS 20 V 3.3V Logic Level Control ID 17 A SOP8 Package RDSON@VGS=4.5V 5.5 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=3.3V 6.5 m Applications Low Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: P0903BVA

 

 
Back to Top