Справочник MOSFET. PTS2017

 

PTS2017 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PTS2017
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для PTS2017

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PTS2017 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:715K  cn puolop
 pts2017.pdf pdf_icon

PTS2017

PTS2017 20V/17A N-Channel Advanced Power MOSFET Features Very Low RDS(on) @ 3.3V Logic. BVDSS 20 V 3.3V Logic Level Control ID 17 A SOP8 Package RDSON@VGS=4.5V 5.5 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON@VGS=3.3V 6.5 m Applications Low Side Load Switch Battery Switch Optimized for Power Management Applications for Portable Products, such as

Другие MOSFET... PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , AON6414A , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 .

History: DMT10N60 | HYG082N03LR1C1 | SQM110N06-06 | SI4N60-TM3-T | SWI1N60 | AP10N10K

 

 
Back to Top

 


 
.