PTS4842 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTS4842
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7.7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 10.5 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 85 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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PTS4842 Datasheet (PDF)
pts4842.pdf
PTS484230V/7.7A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETPin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=21m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4PTS4PTS4842 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features
pts4803.pdf
PTS4803 -30V/-5.8A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features Key Items PMOS Unit Low RDS(on) @VGS=-5V BVDSS -30 V 5V Logic Level Control ID -5.8 A Dual P-Channel SOP8 Package RDSON1@Vgs=-4.5V 50 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON2@vgs=-2.5V 70 m Applications The PTS4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate c
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