PTS4842 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTS4842
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTS4842

PTS4842 Datasheet (PDF)

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pts4842.pdf

PTS484230V/7.7A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETPin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=21m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4PTS4PTS4842 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features

9.1. Size:600K cn puolop
pts4803.pdf

PTS4803 -30V/-5.8A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features Key Items PMOS Unit Low RDS(on) @VGS=-5V BVDSS -30 V 5V Logic Level Control ID -5.8 A Dual P-Channel SOP8 Package RDSON1@Vgs=-4.5V 50 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON2@vgs=-2.5V 70 m Applications The PTS4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate c

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Liste

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