PTS4842 Todos los transistores

 

PTS4842 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTS4842
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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PTS4842 Datasheet (PDF)

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PTS4842

PTS484230V/7.7A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETPin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=21m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4PTS4PTS4842 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features

 9.1. Size:600K  cn puolop
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PTS4842

PTS4803 -30V/-5.8A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features Key Items PMOS Unit Low RDS(on) @VGS=-5V BVDSS -30 V 5V Logic Level Control ID -5.8 A Dual P-Channel SOP8 Package RDSON1@Vgs=-4.5V 50 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON2@vgs=-2.5V 70 m Applications The PTS4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate c

Otros transistores... PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , IRFB4110 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , SK07N65B , SK07N65B-TF .

History: IRFP4905 | SSP70R450S2 | IRFB4115GPBF | SWP630D | RU6050L | SIR871DP

 

 
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