Справочник MOSFET. PTS4842

 

PTS4842 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: PTS4842
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для PTS4842

 

 

PTS4842 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:546K  cn puolop
 pts4842.pdf

PTS4842 PTS4842

PTS484230V/7.7A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETPin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=21m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4PTS4PTS4842 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These features

 9.1. Size:600K  cn puolop
 pts4803.pdf

PTS4842 PTS4842

PTS4803 -30V/-5.8A Dual P-Channel Advanced Power MOSFET Features Key Items PMOS Unit Low RDS(on) @VGS=-5V BVDSS -30 V 5V Logic Level Control ID -5.8 A Dual P-Channel SOP8 Package RDSON1@Vgs=-4.5V 50 m Pb-Free, RoHS Compliant RDSON2@vgs=-2.5V 70 m Applications The PTS4803 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate c

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top