SDW3045 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDW3045
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 5.1 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 8.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2X2
SDW3045 Datasheet (PDF)
sdw3045.pdf

SDW3045These N-Channel enhancement mode power field effect BVDSS RDSON ID transistors are using trench DMOS technology. This 30V 40m 4.5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are DFN2X2 Dual 2EP Pin Configu
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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