SDW3045 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SDW3045
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SDW3045 Datasheet (PDF)
sdw3045.pdf

SDW3045These N-Channel enhancement mode power field effect BVDSS RDSON ID transistors are using trench DMOS technology. This 30V 40m 4.5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are DFN2X2 Dual 2EP Pin Configu
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: FQU13N10 | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF
History: FQU13N10 | 2SK2424 | 2SK4108 | CM20N50P | P0908ATF | JCS2N60MB | AP9997GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor