SDW3045 - описание и поиск аналогов

 

SDW3045. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDW3045

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для SDW3045

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDW3045 даташит

 ..1. Size:920K  cn shikues
 sdw3045.pdf pdf_icon

SDW3045

SDW3045 These N-Channel enhancement mode power field effect BVDSS RDSON ID transistors are using trench DMOS technology. This 30V 40m 4.5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are DFN2X2 Dual 2EP Pin Configu

Другие MOSFET... PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , 7N65 , SK04N65B , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA .

History: WMR14N03TB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.