Справочник MOSFET. SDW3045

 

SDW3045 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SDW3045
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для SDW3045

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDW3045 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:920K  cn shikues
 sdw3045.pdf pdf_icon

SDW3045

SDW3045These N-Channel enhancement mode power field effect BVDSS RDSON ID transistors are using trench DMOS technology. This 30V 40m 4.5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are DFN2X2 Dual 2EP Pin Configu

Другие MOSFET... PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , STP75NF75 , SK04N65B , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA .

History: CEP6030L | B2N65

 

 
Back to Top

 


 
.