SDW3045 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SDW3045
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: DFN2X2
Аналог (замена) для SDW3045
SDW3045 Datasheet (PDF)
sdw3045.pdf
SDW3045These N-Channel enhancement mode power field effect BVDSS RDSON ID transistors are using trench DMOS technology. This 30V 40m 4.5A advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are DFN2X2 Dual 2EP Pin Configu
Другие MOSFET... PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , 7N65 , SK04N65B , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA .
History: KP523B | SIR422DP-T1-GE3 | RU3060L | 2SK2958L | SI4848ADY | NIF5002NT3G | SDF054
History: KP523B | SIR422DP-T1-GE3 | RU3060L | 2SK2958L | SI4848ADY | NIF5002NT3G | SDF054
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irfb7437 | tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor


