SK04N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK04N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de SK04N65B MOSFET
SK04N65B Datasheet (PDF)
sk04n65b.pdf
SK04N65B650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 2.3 4.0A RDS(ON),typ.=2.3 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package TO-251 SK04N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings T =25 unless otherwise
Otros transistores... PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , IRFP250N , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT .
History: RU30D20M2 | SCH1435 | IRF9240SMD | 3415A | RU40191S | AP16N50P | AP18P10GM
History: RU30D20M2 | SCH1435 | IRF9240SMD | 3415A | RU40191S | AP16N50P | AP18P10GM
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