SK04N65B Todos los transistores

 

SK04N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SK04N65B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252
 

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SK04N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6964K  cn shikues
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SK04N65B

SK04N65B650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 2.3 4.0A RDS(ON),typ.=2.3 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package TO-251 SK04N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings T =25 unless otherwise

Otros transistores... PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , AON7408 , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT .

History: MSAFA75N10C | RFP4N35 | TF252 | WMM07N80M3 | UPA2463T1Q | SWD10N80K2 | BRI2N60

 

 
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