Справочник MOSFET. SK04N65B

 

SK04N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SK04N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для SK04N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SK04N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:6964K  cn shikues
 sk04n65b.pdf pdf_icon

SK04N65B

SK04N65B650V N-ch Planar MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID RoHS Compliant 650V 2.3 4.0A RDS(ON),typ.=2.3 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Standby Power Ordering Information Part Number Package TO-251 SK04N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings T =25 unless otherwise

Другие MOSFET... PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , AON7408 , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT .

History: RD3G600GN | SRT045N012HTC-GS | IRLU120

 

 
Back to Top

 


 
.