SK2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SK2306
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.7 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 3.6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 4 nC
   Tiempo de subida (tr): 50 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SK2306

SK2306 Datasheet (PDF)

..1. Size:878K cn shikues
sk2306.pdf

SK2306N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 2306 uses advanced trench technology to provide SKexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. DGeneral Features VDS = 30V,ID = 3.6A GRDS(ON)

9.1. Size:849K cn shikues
sk2302a.pdf

9.2. Size:318K cn shikues
sk2302aa.pdf

SK2302AASOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Trench FET Power MOSFET MARKING: A2SHBMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.9 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARACTER

9.3. Size:719K cn shikues
sk2302aat.pdf

SK2302AATSOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETSFEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter SOT523 MARKING: 2302 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings (T a =25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 8 Continuous Drain Current ID 2.1

9.4. Size:813K cn shikues
sk2307a.pdf