SK2306 Todos los transistores

 

SK2306 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SK2306
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SK2306 Datasheet (PDF)

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SK2306

SK2306N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 2306 uses advanced trench technology to provide SKexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. DGeneral Features VDS = 30V,ID = 3.6A GRDS(ON)

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SK2306

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SK2306

SK2302AASOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Trench FET Power MOSFET MARKING: A2SHBMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.9 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARACTER

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SK2306

SK2302AATSOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETSFEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter SOT523 MARKING: 2302 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings (T a =25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 8 Continuous Drain Current ID 2.1

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History: ME2313 | IRFBC20LPBF | SIF10N40C | IRF7701GPBF | NCE4618SP | IRF7703PBF

 

 
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