SKQ50N03BD Todos los transistores

 

SKQ50N03BD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKQ50N03BD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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SKQ50N03BD datasheet

 ..1. Size:770K  cn shikues
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SKQ50N03BD

SKQ50N03BD N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 6.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R

Otros transistores... SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SPP20N60C3 , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S .

History: JMSH0605AGDQ | SFF054 | SWB090R08ET | 2SK3111-ZJ | APT5014BLLG | AP95T07AGP | OSG65R380FEF

 

 

 

 

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