SKQ50N03BD Todos los transistores

 

SKQ50N03BD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SKQ50N03BD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
 

 Búsqueda de reemplazo de SKQ50N03BD MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SKQ50N03BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn shikues
 skq50n03bd.pdf pdf_icon

SKQ50N03BD

SKQ50N03BD N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 6.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R

Otros transistores... SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , IRF9540N , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S .

History: FHP730 | MS10N80 | STL12N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.