SKQ50N03BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SKQ50N03BD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: DFN3.3X3.3
SKQ50N03BD Datasheet (PDF)
skq50n03bd.pdf

SKQ50N03BD N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 6.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R
Другие MOSFET... SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , AON7410 , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S .
History: SM2363PSA | SSF4N60G | FQPF6N90
History: SM2363PSA | SSF4N60G | FQPF6N90



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645