SKQ50N03BD - описание и поиск аналогов

 

SKQ50N03BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SKQ50N03BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для SKQ50N03BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKQ50N03BD даташит

 ..1. Size:770K  cn shikues
 skq50n03bd.pdf pdf_icon

SKQ50N03BD

SKQ50N03BD N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 6.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R

Другие MOSFET... SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SPP20N60C3 , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.