Справочник MOSFET. SKQ50N03BD

 

SKQ50N03BD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SKQ50N03BD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKQ50N03BD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  cn shikues
 skq50n03bd.pdf pdf_icon

SKQ50N03BD

SKQ50N03BD N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V 30V DS I 50A D R ( at V =10V) 6.0 mohm DS(ON) GS R ( at V =4.5V) 8.0 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissipation High density cell design for low R

Другие MOSFET... SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , AON7410 , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S .

History: SM2363PSA | SSF4N60G | FQPF6N90

 

 
Back to Top

 


 
.