SKQ55P02AD Todos los transistores

 

SKQ55P02AD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKQ55P02AD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm

Encapsulados: DFN3.3X3.3

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SKQ55P02AD datasheet

 ..1. Size:688K  cn shikues
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SKQ55P02AD

SKQ55P02AD P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip

Otros transistores... SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKD502T , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S .

History: 2SK1569 | 2SK2602 | XP161A11A1PR-G | 2SK1081 | BSC252N10NSF | EMF03N02HR | 15N12

 

 

 

 

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