SKQ55P02AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKQ55P02AD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3
Búsqueda de reemplazo de SKQ55P02AD MOSFET
SKQ55P02AD Datasheet (PDF)
skq55p02ad.pdf

SKQ55P02ADP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip
Otros transistores... SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , IRF9540N , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S .
History: SK2306
History: SK2306



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
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