SKQ55P02AD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SKQ55P02AD
   Código: Q55P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3.3X3.3

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SKQ55P02AD Datasheet (PDF)

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skq55p02ad.pdf

SKQ55P02ADP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip

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Liste

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