SKQ55P02AD - описание и поиск аналогов

 

SKQ55P02AD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SKQ55P02AD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm

Тип корпуса: DFN3.3X3.3

Аналог (замена) для SKQ55P02AD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKQ55P02AD даташит

 ..1. Size:688K  cn shikues
 skq55p02ad.pdf pdf_icon

SKQ55P02AD

SKQ55P02AD P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip

Другие MOSFET... SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKD502T , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S .

History: FDMC86324 | FDB0260N1007L | AP30P30Q | TK39J60W5 | XP161A11A1PR-G | NCEP40T11G | ELM544599A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.