Справочник MOSFET. SKQ55P02AD

 

SKQ55P02AD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SKQ55P02AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для SKQ55P02AD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SKQ55P02AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  cn shikues
 skq55p02ad.pdf pdf_icon

SKQ55P02AD

SKQ55P02ADP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip

Другие MOSFET... SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , IRF9540N , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S .

 

 
Back to Top

 


 
.