Справочник MOSFET. SKQ55P02AD

 

SKQ55P02AD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SKQ55P02AD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0083 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для SKQ55P02AD

 

 

SKQ55P02AD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  cn shikues
 skq55p02ad.pdf

SKQ55P02AD SKQ55P02AD

SKQ55P02ADP-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary V -20V DS I -55A D R ( at V =-4.5V) 8.3mohm DS(ON) GS R ( at V =-2.5V) 10 mohm DS(ON) GS R ( at V =-1.8V) 15 mohm DS(ON) GS 100% UIS Tested 100% VDS Tested General Description Trench Power LV MOSFET technology Excellent package for heat dissip

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top