SGO100N08L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGO100N08L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 14 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
Carga de la puerta (Qg): 39 nC
Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 470 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0082 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC8
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SGO100N08L Datasheet (PDF)
sgo100n08l.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N08L Rev. 1.0 Jul. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO100N08L 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 14A uniquely optimized to provide the
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