SGO100N08L Todos los transistores

 

SGO100N08L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGO100N08L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGO100N08L Datasheet (PDF)

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 sgo100n08l.pdf pdf_icon

SGO100N08L

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History: IPI09N03LA | BUK9840-55 | BUK7207-30B | SE4N65 | SH8K26 | SIHFI9Z14G | STD20NF06

 

 
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