SGO100N08L Todos los transistores

 

SGO100N08L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGO100N08L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0082 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC8
 

 Búsqueda de reemplazo de SGO100N08L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SGO100N08L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  cn super semi
 sgo100n08l.pdf pdf_icon

SGO100N08L

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N08L Rev. 1.0 Jul. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO100N08L 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 14A uniquely optimized to provide the

Otros transistores... SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , IRFB3607 , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S .

History: IRFS3006-7P | ZXMC6A09DN8T | HCA70R180 | IRF8707PBF-1 | STFW60N65M5 | WMM26N60C4

 

 
Back to Top

 


 
.