Справочник MOSFET. SGO100N08L

 

SGO100N08L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGO100N08L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
 

 Аналог (замена) для SGO100N08L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGO100N08L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:711K  cn super semi
 sgo100n08l.pdf pdf_icon

SGO100N08L

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N08L Rev. 1.0 Jul. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO100N08L 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 14A uniquely optimized to provide the

Другие MOSFET... SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , IRFB3607 , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S .

History: RUH30150M | CMI80N06 | IRF830ALPBF | PMV170UN | SSM2307G

 

 
Back to Top

 


 
.