SGO100N08L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SGO100N08L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6.5 ns
Выходная емкость (Cd): 470 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0082 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
Аналог (замена) для SGO100N08L
SGO100N08L Datasheet (PDF)
..1. Size:711K cn super semi
sgo100n08l.pdf
sgo100n08l.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N08L Rev. 1.0 Jul. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO100N08L 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 14A uniquely optimized to provide the
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
