SGO100N08L - описание и поиск аналогов

 

SGO100N08L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGO100N08L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0082 Ohm

Тип корпуса: SOIC8

Аналог (замена) для SGO100N08L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGO100N08L даташит

 ..1. Size:711K  cn super semi
 sgo100n08l.pdf pdf_icon

SGO100N08L

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N08L Rev. 1.0 Jul. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO100N08L 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 14A uniquely optimized to provide the

Другие MOSFET... SK2302AAT , SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , K4145 , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S .

History: HM4430 | EMF03N02HR | BSC252N10NSF | APT5014B2VRG | 15N12 | XP161A11A1PR-G | 2SK2602

 

 

 

 

↑ Back to Top
.