SGO4606T Todos los transistores

 

SGO4606T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SGO4606T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: SOIC8

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SGO4606T datasheet

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SGO4606T

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History: HP100N08 | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | AP01L60H-HF | SWD070R08E7T | HU30N03

 

 

 

 

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