Справочник MOSFET. SGO4606T

 

SGO4606T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SGO4606T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
   Тип корпуса: SOIC8
 

 Аналог (замена) для SGO4606T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGO4606T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:948K  cn super semi
sgo4606t.pdfpdf_icon

SGO4606T

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 30V Complementary Power Transistor SGO4606T Rev. 1.0 Aug. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO4606T 30V Complementary MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is N-Channel P-Channel uniquely optimized to provide the most efficient h

Другие MOSFET... SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , SGO100N08L , TK10A60D , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S .

History: SSH7N60A | SSW7N60B | HUF75343S3ST | WMM08N65EM | JCS9N90FT | IRF7422D2PBF

 

 
Back to Top

 


 
.