SGO4606T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SGO4606T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
Аналог (замена) для SGO4606T
SGO4606T Datasheet (PDF)
sgo4606t.pdf

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 30V Complementary Power Transistor SGO4606T Rev. 1.0 Aug. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO4606T 30V Complementary MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is N-Channel P-Channel uniquely optimized to provide the most efficient h
Другие MOSFET... SK2304AA , SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , SGO100N08L , TK10A60D , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S .
History: SSH7N60A | SSW7N60B | HUF75343S3ST | WMM08N65EM | JCS9N90FT | IRF7422D2PBF
History: SSH7N60A | SSW7N60B | HUF75343S3ST | WMM08N65EM | JCS9N90FT | IRF7422D2PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941