SGO4606T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SGO4606T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SGO4606T Datasheet (PDF)
sgo4606t.pdf

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 30V Complementary Power Transistor SGO4606T Rev. 1.0 Aug. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO4606T 30V Complementary MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is N-Channel P-Channel uniquely optimized to provide the most efficient h
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: RUH1H139R-A | BSC096N10LS5 | FRS240H | FQD10N20CTF | 2SJ609 | KI2312DS | IRF353
History: RUH1H139R-A | BSC096N10LS5 | FRS240H | FQD10N20CTF | 2SJ609 | KI2312DS | IRF353



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941