SGO4606T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SGO4606T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 5.2 nC
Время нарастания (tr): 2.5 ns
Выходная емкость (Cd): 45 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.029 Ohm
Тип корпуса: SOIC8
SGO4606T Datasheet (PDF)
..1. Size:948K cn super semi
sgo4606t.pdf
sgo4606t.pdf
SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 30V Complementary Power Transistor SGO4606T Rev. 1.0 Aug. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGO4606T 30V Complementary MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is N-Channel P-Channel uniquely optimized to provide the most efficient h
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
