SGT100N45T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGT100N45T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Encapsulados: TO252
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SGT100N45T datasheet
sgt100n45t sgp100n45t.pdf
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History: RU6888R3 | HCD65R2K2 | RUE002N02 | HY3410B | RF4E110BN | HY3410PM
History: RU6888R3 | HCD65R2K2 | RUE002N02 | HY3410B | RF4E110BN | HY3410PM
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