SGT100N45T Todos los transistores

 

SGT100N45T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SGT100N45T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SGT100N45T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:878K  cn super semi
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SGT100N45T

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N45T Rev. 1.0 Dec. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGT100N45T/SGP100N45T 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 25A uniquely optimized to

 9.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SGT10T60SD1S/F 10A600V C2SGT10T60SD1S/F 1Field StopIIIG UPSSMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@IC=10A

 9.2. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SGT10T60SDM1P7 10A600V C2SGT10T60SDM1P7 1Field StopIIIG UPSSMPS 3E 10A600VVCE(sat)()=1.65V@I

 9.3. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SGT10U60SDM2D 10A600V C2SGT10U60SDM2D 4 PlusField Stop IV+ 1G UPS,SMPS PFC 3E 10A600VVCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

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