SGT100N45T - описание и поиск аналогов

 

SGT100N45T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SGT100N45T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SGT100N45T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SGT100N45T даташит

 ..1. Size:878K  cn super semi
 sgt100n45t sgp100n45t.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 100V Super Gate Power Transistor SG*100N45T Rev. 1.0 Dec. 2016 www.supersemi.com.cn Jun, 2015 SG-FET SGT100N45T/SGP100N45T 100V N-Channel MOSFET Description Features The SG-MOSFET uses trench MOSFET technology that is VDS 100V ID (at Vgs=10V) 25A uniquely optimized to

 9.1. Size:328K  silan
 sgt10t60sd1s sgt10t60sd1str sgt10t60sd1f.pdf pdf_icon

SGT100N45T

 9.2. Size:315K  silan
 sgt10t60sdm1p7.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SGT10T60SDM1P7 10A 600V C 2 SGT10T60SDM1P7 1 Field StopIII G UPS SMPS 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@I

 9.3. Size:561K  silan
 sgt10u60sdm2d.pdf pdf_icon

SGT100N45T

SGT10U60SDM2D 10A 600V C 2 SGT10U60SDM2D 4 Plus Field Stop IV+ 1 G UPS,SMPS PFC 3 E 10A 600V VCE(sat)( )=1.65V@ IC=10A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SK2306 , SK2307A , SK2310AA , SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , AON7410 , SGP100N45T , SSB65R360S2 , SSI65R360S2 , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S , SSA50R140S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.