SSI65R360S2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSI65R360S2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 23.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.37 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSI65R360S2

SSI65R360S2 Datasheet (PDF)

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History: APT5010LVR

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: