SSI65R360S2 - описание и поиск аналогов

 

SSI65R360S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSI65R360S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 105 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.37 Ohm

Тип корпуса: TO262

Аналог (замена) для SSI65R360S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI65R360S2 даташит

 ..1. Size:827K  cn super semi
ssb65r360s2 ssi65r360s2.pdfpdf_icon

SSI65R360S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*65R360S2 Rev. 1.4 Dec. 2023 www.supersemi.com.cn SSB65R360S2/SSI65R360S2 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advance

 0.1. Size:787K  cn super semi
ssb65r360s2e ssi65r360s2e.pdfpdf_icon

SSI65R360S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power MOSFET Gen- SS*65R360S2E Rev. 1.2 Nov. 2022 www.supersemi.com.cn SSB65R360S2E/SSI65R360S2E 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an adva

 8.1. Size:738K  cn super semi
ssi65r190s2.pdfpdf_icon

SSI65R360S2

SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 650V Super Junction Power MOSFET Gen- SSI65R190S2 Rev. 1.0 Mar. 2022 www.supersemi.com.cn SSI65R190S2 650V N-Channel Super-Junction MOSFET Gen- Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi process SJ-FET is utilizing an advanced charge bal

Другие MOSFET... SK50N06A , SKQ50N03BD , SKQ55P02AD , SGO100N08L , SGO4606T , SGT100N45T , SGP100N45T , SSB65R360S2 , IRF1010E , SSB80R380S , SSF50R140S , SSP50R140S , SSW50R140S , SSA50R140S , SSF50R240S , SSP50R240S , SSW50R240S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.